规格书 |
IP(D,S)031N03L G |
文档 |
Multiple Devices 19/Mar/2010 |
产品更改通知 | Product Discontinuation 19/Mar/2010 |
标准包装 | 1,500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 30V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 90A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 51nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5300pF @ 15V |
功率 - 最大 | 94W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
供应商器件封装 | PG-TO251-3 |
包装材料 | Tube;;其他的名称; |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 90A (Tc) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.2V @ 250µA |
漏极至源极电压(Vdss) | 30V |
标准包装 | 1,500 |
供应商设备封装 | PG-TO251-3 |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 3.1 mOhm @ 30A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 94W |
封装/外壳 | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5300pF @ 15V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 51nC @ 10V |
工厂包装数量 | 1500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
配置 | Single |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 90 A |
正向跨导 - 闵 | 100 S |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 4.4 mOhms |
功率耗散 | 94 W |
最低工作温度 | - 55 C |
典型关闭延迟时间 | 34 ns |
零件号别名 | IPS031N03LGXK |
上升时间 | 6 ns |
最高工作温度 | + 175 C |
漏源击穿电压 | 30 V |
RoHS | RoHS Compliant |
下降时间 | 5 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
宽度 | 2.38 mm |
品牌 | Infineon Technologies |
通道数 | 1 Channel |
商品名 | OptiMOS |
晶体管类型 | 1 N-Channel |
Id - Continuous Drain Current | 90 A |
长度 | 6.73 mm |
Rds On - Drain-Source Resistance | 4.4 mOhms |
通道模式 | Enhancement |
系列 | OptiMOS 3 |
身高 | 6.22 mm |
典型导通延迟时间 | 9 ns |
Pd - Power Dissipation | 94 W |
技术 | Si |
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